JB/T4730.2（射线）讨论区

纵缝双壁单影透照定位标记的放置问题

    规格尺寸为外径为560mm，长为2000mm的筒体，进行卷板、焊接，所形成的纵缝进行100%的射线检测。由于筒体的直径太小，人体无法进入筒体内部放置胶片，所以，我们选择双壁单影法进行射线检测。在4730标准中的透照方式图中，有此类纵缝的透照方式。

     但是，实际检测时，搭接标记只能放在胶片侧，可是，如果搭接标记放在胶片侧，那么就会造成漏检，也就是底片上没有搭接长度。此处与4730标准附录G1的规定正好违背。但是，搭接标记且只能放在胶片侧，因为空间的限制。标准对此种情况的规定还是空白的。在射线教材中有这么一句话：“当搭接标记放在胶片侧时，底片的有效评定长度为搭接标记之间的长度加上搭接长度”，这样就解释了该种情况的处理方式。在ASME  V卷中的射线检测部分中，T-275中就对于替代射线源侧标记的方法进行了说明，实际跟我们教材上所讲的搭接标记是一个道理，但是ASME标准对这点进行了说明。

个人想法！如有错误请沟通。

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   其实ASME圆形缺陷评定图谱只是举例，在实际评片中是不能进行比对的，如每张片子都进行比对是无法评片的。具体圆形缺陷的评定应按圆形缺陷评定条款执行。感觉不算太麻烦。记住各圆形缺陷的定义。

    JB.T4730.3-2005-4.2中。P78.表7.单个缺陷质量分级。在锻件检测中，如果缺陷深度小于3N时，按P77.4.2.8.1中--对于3倍近场区内的缺陷，可采用距离--波幅曲线来确定缺陷当量。而表7是用Φ4+db来表示，是否合适？是否可考虑当缺陷深度小于3N时，用当量范围来表示，因为在该区域的缺陷当量 是用距离--波幅曲线来确定。例如单个缺陷Ⅲ级，Φ4+（﹥8db--12db)是否可采用（Φ6.34--Φ8）表示。本人感觉，当缺陷 深度大于 3N时，用Φ4+db,当缺陷深度小于3N时用当量范围表示，这样表示较规范。不知理解是否正确？仅供参考。另外JB.T4730.3-2005--6.P104表29，斜探头K值的选择，表中探头K值是否标注反了，根据管壁厚度应该为：3.0--2.5；2.5--2.0；2.0--1.5.而不应该是：2.5--3.0；2.0--2.5；1.5--2.0.

    没注意将UT问题发在RT讨论区里。

K值问题，应该好好考虑，现行标准对纵缝的要求比环缝严，其实环缝横向裂纹更危险，建议把纵缝的K值应放宽，或者取消K值。前面有人也探讨过。

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征求意见稿网上怎么还没有出来呢？

对NB/T47013.2意见稿中4.3.2条 射线检测工艺文件验证看法：
      当f一项参数改变时，检测工艺文件必须进行修订并重新验证；是否需要？
       本人认为：在其它参数不变时，f参数改变实际就是F改变了，这样可通过平方反比定律对曝光量进行换算，获得新的曝光量进行透照，可不必对检测工艺文件进行修订和重新验证。