超声波探伤近场区

wjjxuey 发表于 2013-9-6 10:58
实际上，L1+L2为入射点到晶片的距离，亦即波源的距离

近场区：生源附近由于声压急剧起伏，出现多个极大值和极小值，最后一个声压极大值处与声源的距离成为近场长度，用N表示，N值以内的区域称为近场区。
近场区由于声压不稳定，易存在探伤盲区，在近场区的缺陷容易引起误判。
我有些不明白的地方，请前辈们指点。
近场区内存在探伤盲区：就是说有可能会出现漏检。
缺陷引起的误判：也就是不能够准确定量和定性，缺陷的最高波反应不出来。
那在斜探头及直探头探伤中，在其近场区出现缺陷，那会不会产生误判呢？
书中说，在3N外才能计算出较为准确的当量

书上不是有公式吗？

枫林晚 发表于 2013-9-6 13:13
按照公式貌似没有L2

这个L2其实可以看作是磨损后的探头后加的有机玻璃的厚度。。。
事实上一般的探头有机玻璃和晶片似乎是一体熔合的，就只有L1了。。。一样的，原理明白怎么计算变化不离其宗。。。

wjjxuey 发表于 2013-2-6 11:35
计算示意图：

计算过程：

你好wjjxuey先生
      你的计算过程后面的一句话，磨损的有机玻璃厚度增加，近场区长度会增大，怎么理解，麻烦你给我解释一下，
      近场区公式是怎么推导的，有具体的过程吗

wjjxuey 发表于 2013-2-6 11:35
计算示意图：

计算过程：

谢谢。

学习一下！

、、、、、、、、、、、、、、、、、、、

wjjxuey 发表于 2013-2-6 11:35
计算示意图：

计算过程：

个人觉得 wjjxuey 先生 答案存在些疑问,请大家探讨，其中，wjjxuey 先生公式中L1+L2,L1的计算存在问题，众所周知，斜探头的结构，压电晶片并非与有机玻璃相交，中间还有斜楔部分，所以，直边要大于b/2 ，应该是斜楔长度/2  也就是实际L1+L2大于  上述公式计算值。不过上述公式计算结果误差不会太大，本身探头尺寸就不大。   个人拙见，大家探讨

wjjxuey 发表于 2013-2-6 11:35
计算示意图：

计算过程：

呵呵呵  学习了  平时虽然在干活  但是长时间不看书真的不行啊

理论上计算出来的近场区就是给你用来参考他的实际声场的，理论近场区都行的话实际就更可以，工作当中灵活点应用。实在纠结也可以看材质选择用MT辅助探伤，应为可以探近表面，并且检测灵敏度很高。