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在我的日志《漏磁场》发表后，J先生旋即提了下面三个问题:
1.在磁饱和的情况下，在有缺陷处，磁力线将如何发生畸变(绕射)呢，即往哪里绕射呢？
2.如果是曲面工件，由于表面不平行，所以磁力线与工件表面就有夹角，磁力线就会从界面折射出去了么？
3.实施磁粉检测，磁化程度必须达到磁饱和或接近磁饱和么？接近磁饱和又是多少呢？90%以上？99%以上？99.99%以上？
并且， 他认为:
漏磁场理论是完全错误的，我的3个提问是分别针对3个产生原因的置疑，因为与磁粉检测的实际不相符合。您的讲解也只是对错误理论的解释，完全是理论对理论的想象，与磁粉检测毫无关系。如果结合磁粉检测的实际，就会发现根本就不能用这个理论去指导磁粉检测（即如何选择磁化）。所以这个理论是不符合实际的，所以是错误的。恕我冒昧。我不是有意与您为难。实际上，最早传播这个理论的那些人，都是我所尊敬的前辈甚至是老师。
我欢迎J先生的提问和提出批评，并希望:
他应该写文章，摆出试验数据，用正确理论来反驳他们(也包括我)，来证明: 漏磁场理论是完全错误的，与磁粉检测的实际不相符合，为什么根本就不能用这个理论去指导磁粉检测（即如何选择磁化）？
讲清了这个问题，可能是他对MT基础理论的重大贡献，我的基础理论也望有所提高，这是负责任的学术讨论;如不摆出他的试验，讲不清他的道理，而仍然限于“扣帽子”式空喊，那么，他的这些结论，是不能令人信服的！我期盼J先生有重要文章问世。
学术争论=摆出试验数据，用正确理论反对错误理论。
