糟老头子 发表于 2013-1-5 14:36:06

相控阵近场区长度的测量

看了李济科李老关于如何让计算相控阵近场区的长度的帖子后,做了这个实验。实验表明相控阵的聚焦深度随着虚拟探头孔径的增大而变大,具体内容请查看附件。因附件较大,所以传在百度网盘中。下面是地址:
http://pan.baidu.com/share/link?shareid=197771&uk=3257336202

欢迎各位一起探讨!

琳曦 发表于 2013-1-5 16:58:25

过来了解一下的哦

梁金昆 发表于 2013-1-7 10:31:58

请问:您测近场区长度时,虚拟探头孔径内所有晶片,是同时激发么?

糟老头子 发表于 2013-1-7 12:15:40

是的

糟老头子 发表于 2013-5-2 15:33:25

Ansan 发表于 2013-5-2 14:22 static/image/common/back.gif
您好!
看到这篇关于相控阵近场区的测量。 我这边有个疑问,假如使用5.0MHZ、64阵元、阵元间距为1mm, ...

哪个型号的探头?测钢材吗?

糟老头子 发表于 2013-5-2 17:26:03

Ansan 发表于 2013-5-2 16:04 http://www.fendti.cn/static/image/common/back.gif
线性直探头

你的近场区长度200mm应是算错了,我按我在本帖实验所用探头得到32晶片在钢材中近场区为79mm。
这只是在不加装楔块的情况下,如果加装楔块(20mm厚,2330m/s),在钢中近场区为28mm。
你再算算吧?

糟老头子 发表于 2013-5-10 11:28:51

本帖最后由 糟老头子 于 2013-5-10 11:54 编辑

Ansan 发表于 2013-5-2 18:57 http://www.fendti.cn/static/image/common/back.gif
嗯 我很奇怪!
你如果是按照olympus计算的吗?
我们采用阵元孔径为32的同时激发


我前两天被禁言,不能及时回复你。
参照附件图片,你所指的间隔是“p”还是“g”?
总之,你要计算的话,是由公式k乘以L的平方乘以频率比上4倍的波长。
举例:假设我激发8个晶片来做扇形扫查,如附件照片。那就用A的平方乘以(A比上W得到的k值)乘以频率比上4倍的波速
希望对你有帮助。

糟老头子 发表于 2013-5-10 16:59:15

本帖最后由 糟老头子 于 2013-5-10 17:02 编辑

@anscan 确实如你所说,e值太小可以忽略不计。
如果真是p=1mm的话,那么近场区长度:
N=KL²/(4λ)
L=32*1=32mm
查短边与长边比率常量可知K=0.99
λ=5.9/5=1.18mm
N=0.99*32*32/(4*1.18)=215mm


矩形晶片探头的近场区和探头面积成正比,和波长成反比。可以的话你找个试块验证下吧

为人民服务 发表于 2013-11-17 21:51:11

{:soso_e163:}

阿东 发表于 2014-2-21 20:04:41

不错,学习了。
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